Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/14767

Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences
Li, Binhong; Berbel Artal, Néstor; Boyer, A.; BenDhia, S.; Fernández García, Raúl
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors
Semiconductors
Metal oxide semiconductors
Transistors
Semiconductors
Metall-òxid-semiconductors
Transistors
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, Binhong; BenDhia, S.; Boyer, A.
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, B.; Boyer, A.; BenDhia, S.
Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Boyer, A.; BenDhia, S.; Vrignon, Bertrand
Boyer, Alexandre; Dhia, Sonia Ben; Fernández García, Raúl; Berbel Artal, Néstor
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio