To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/14375

A new approach to modelling the impact of EMI on MOSFET DC behavior
Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Boyer, A.; BenDhia, S.; Vrignon, Bertrand
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica i telecomunicacions::Electrònica de potència
Electromagnetic compatibility
Compatibilitat electromagnètica
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Article
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, B.; Boyer, A.; BenDhia, S.
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, Binhong; BenDhia, S.; Boyer, A.
Li, Binhong; Berbel Artal, Néstor; Boyer, A.; BenDhia, S.; Fernández García, Raúl
Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl; Sieiro, Javier; López-Villegas, José María
 

Coordination

 

Supporters