Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/13917

Experimental verification of the usefulness of the n-th power law MOSFET model under hot carrier wearout
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, B.; Boyer, A.; BenDhia, S.
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica i telecomunicacions::Electrònica de potència
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Electromagnetism
Electromagnetisme
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
Artículo
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, Binhong; BenDhia, S.; Boyer, A.
Li, Binhong; Berbel Artal, Néstor; Boyer, A.; BenDhia, S.; Fernández García, Raúl
Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Boyer, A.; BenDhia, S.; Vrignon, Bertrand
Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio