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Stability of hydrogenated nanocrystalline silicon thin-film transistors
Orpella, A.; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Universitat de Barcelona
Hydrogenated nanocrystalline silicon thin-films were obtained by catalytic chemical vapour deposition at low substrate temperatures (150°C) and high deposition rates (10 Å/s). These films, with crystalline fractions over 90%, were incorporated as the active layers of bottom-gate thin-film transistors. The initial field-effect mobilities of these devices were over 0.5 cm 2/V s and the threshold voltages lower than 4 V. In this work, we report on the enhanced stability of these devices under prolonged times of gate bias stress compared to amorphous silicon thin-film transistors. Hence, they are promising candidates to be considered in the future for applications such as flat-panel displays.
Pel·lícules fines
Silici
Nanocristalls
Semiconductors
Catàlisi
Deposició química en fase vapor
Thin films
Silicon
Nanocrystals
Semiconductors
Catalysis
Chemical vapor deposition
(c) Elsevier B.V., 2001
Artículo
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

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Voz Sánchez, Cristóbal; Martin, I.; Orpella, A.; Puigdollers i González, Joaquim; Vetter, M.; Alcubilla González, Ramón; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Puigdollers i González, Joaquim; Voz Sánchez, Cristóbal; Orpella, A.; Martín, I.; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, A.; Alcubilla González, Ramón; Dosev, D.; Pallarés Curto, Jordi; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc)
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