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Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition
Dosev, D.; Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, Albert; Voz Sánchez, Cristóbal; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); Pallarés Curto, Jordi; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Universitat de Barcelona
Pel·lícules fines
Silici
Estabilitat
Semiconductors
Deposició química en fase vapor
Thin films
Silicon
Stability
Semiconductors
Chemical vapor deposition
(c) Elsevier B.V., 2001
Artículo
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

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Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, Albert; Dosev, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Pallarés Curto, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón; Peiró, D.
Orpella, Albert; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Voz Sánchez, Cristóbal; Martin, Isidro; Orpella, Albert; Puigdollers i González, Joaquim; Vetter, M.; Alcubilla González, Ramón; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Puigdollers i González, Joaquim; Voz Sánchez, Cristóbal; Orpella, Albert; Martín, I.; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
 

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