Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/741

Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Microwave transistors Noise
High-electron-mobility transistors
high electron mobility transistors
microwave transistors
semiconductor device noise
semiconductor device models
matrix algebra
equivalent circuits
Transistors de microones
Soroll -- Mesurament
Article
IEE
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel