Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Autor/a:
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Otros autores:
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Abstract:
A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C, ,INT, C,,7NT, Re(C,,
Abstract:
Peer Reviewed
Materia(s):
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electronics -Electrònica