Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/107025

Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Pérez Pueyo, Rosanna; Soneira Ferrando, M. José
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones; Universitat Politècnica de Catalunya. GCO - Grup de Comunicacions Òptiques
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació
Telecommunication
Telecomunicació
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
 

Coordinación

 

Patrocinio