To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/741
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones |
dc.contributor.author | Lázaro Guillén, Antoni |
dc.contributor.author | Pradell i Cara, Lluís |
dc.contributor.author | Beltrán, A. |
dc.contributor.author | O'Callaghan Castellà, Juan Manuel |
dc.date | 1998-02-05 |
dc.identifier.citation | Lazaro, A.; Pradell, L.; Beltran, A.; O'Callaghan, J.M. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 Ω noise figure measurements. Electronics Letters, 1998, vol.34, núm.3, p.289-291. ISSN:0013-5194 |
dc.identifier.citation | 0013-5194 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/741 |
dc.language.iso | eng |
dc.publisher | IEE |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques |
dc.subject | Microwave transistors Noise |
dc.subject | High-electron-mobility transistors |
dc.subject | high electron mobility transistors |
dc.subject | microwave transistors |
dc.subject | semiconductor device noise |
dc.subject | semiconductor device models |
dc.subject | matrix algebra |
dc.subject | equivalent circuits |
dc.subject | Transistors de microones |
dc.subject | Soroll -- Mesurament |
dc.title | Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |