Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/21236

Sub-Bandgap external quantum efficiency in Ti implanted Si heterojunction with intrinsic thin layer cells
Silvestre Bergés, Santiago; Boronat Moreiro, Alfredo; Colina Brito, Mónica Alejandra; Castañer Muñoz, Luis María; Olea, Javier; Pastor, David; DelPrado, A.; Martil, Ignacio; Gonzalez Diaz, German; Luque, Antonio; Antolin, Elisa; Hernandez, Estela; Ramiro, Iñigo; Artacho, Irene; López, Esther; Martí, Antonio
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
In this work we present the manufacturing processes and results obtained from the characterization of heterojunction with intrinsic thin layer solar cells that include a heavily Ti ion implanted Si absorbing layer. The cells exhibit external circuit photocurrent at photon energies well below the Si bandgap. We discuss the origin of this below-bandgap photocurrent and the modifications in the hydrogenated amorphous intrinsic Si layer thickness to increase the open-circuit voltage.
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars
Solar cells
Cèl·lules solars
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Artículo
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Tobias, Ignacio; Mendes, Manuel; Boronat Moreiro, Alfredo; Lopez, Ester; garcia linares, pablo; Artacho, Irene; Martí, Antonio; Silvestre Bergés, Santiago; Luque, Antonio
Boronat, A; Silvestre Bergés, Santiago; Fuertes Marrón, D.; Castañer Muñoz, Luis María; Martí, A.; Luque, Antonio
Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María
Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María