Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/19501

Influence of hydrogen on the optical absorption response of GaAs(Ti) films deposited by R.F. sputtering
Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica
Temperature measurements
Photonics
GaAs(Ti) compound
hydrogen
intermediate band
sputtering
Termometria
Fotònica
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Silvestre Bergés, Santiago; Boronat Moreiro, Alfredo; Colina Brito, Mónica Alejandra; Castañer Muñoz, Luis María; Olea, Javier; Pastor, David; DelPrado, A.; Martil, Ignacio; Gonzalez Diaz, German; Luque, Antonio; Antolin, Elisa; Hernandez, Estela; Ramiro, Iñigo; Artacho, Irene; López, Esther; Martí, Antonio
Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María
Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Orpella García, Alberto
Tobias, Ignacio; Mendes, Manuel; Boronat Moreiro, Alfredo; Lopez, Ester; garcia linares, pablo; Artacho, Irene; Martí, Antonio; Silvestre Bergés, Santiago; Luque, Antonio