1. Inicio
  2. Universitat de Barcelona
  3. Enginyeria Electrònica i Biomèdica
  4. Ver ítem

Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Autor/a

Peiró Martínez, Francisca

Cornet i Calveras, Albert

Morante i Lleonart, Joan Ramon

Clark, S. A.

Williams, R. H.

Fecha de publicación

2012-10-08T12:08:11Z

2012-10-08T12:08:11Z

1992

2012-10-08T12:08:11Z

Compartir

Resumen

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Tipo de documento

Artículo

Versión publicada

Lengua

Inglés

Materias y palabras clave

Microscòpia electrònica; Pel·lícules fines; Feixos moleculars; Electron microscopy; Thin films; Molecular beams

Publicado por

American Institute of Physics

Documentos relacionados

Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Journal of Applied Physics, 1992, vol. 71, num. 5, p. 2470-2472

http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Citación recomendada

Esta citación se ha generado automáticamente.

Exportar

DIDL MARC MARC_CCUC METS OAI_DC ORE QDC RDF

Derechos

(c) American Institute of Physics , 1992

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Enginyeria Electrònica i Biomèdica [781]

ISGlobal - Institut de Salut Global de Barcelona [60808]