1. Inici
  2. Universitat de Barcelona
  3. Enginyeria Electrònica i Biomèdica
  4. Visualitza l'element

Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Autor/a

Peiró Martínez, Francisca

Cornet i Calveras, Albert

Morante i Lleonart, Joan Ramon

Clark, S. A.

Williams, R. H.

Data de publicació

2012-10-08T12:08:11Z

2012-10-08T12:08:11Z

1992

2012-10-08T12:08:11Z

Compartir

Resum

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Tipus de document

Article

Versió publicada

Llengua

Anglès

Matèries i paraules clau

Microscòpia electrònica; Pel·lícules fines; Feixos moleculars; Electron microscopy; Thin films; Molecular beams

Publicat per

American Institute of Physics

Documents relacionats

Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Journal of Applied Physics, 1992, vol. 71, num. 5, p. 2470-2472

http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Citació recomanada

Aquesta citació s'ha generat automàticament.

Exportar

DIDL MARC MARC_CCUC METS OAI_DC ORE QDC RDF

Drets

(c) American Institute of Physics , 1992

Aquest element apareix en la col·lecció o col·leccions següent(s)

Enginyeria Electrònica i Biomèdica [781]

ISGlobal - Institut de Salut Global de Barcelona [60808]