Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by hot-wire CVD

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/130748

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Puigdollers i González, Joaquim
dc.contributor.author	Dosev, D
dc.contributor.author	Orpella García, Alberto
dc.contributor.author	Voz Sánchez, Cristóbal
dc.contributor.author	Peiro, D
dc.contributor.author	Bertomeu Balaguero, Joan
dc.contributor.author	Marsal, L F
dc.contributor.author	Pallarés, J
dc.contributor.author	Andreu Batallé, Jordi
dc.contributor.author	Alcubilla González, Ramón
dc.date	1999-12
dc.identifier.citation	Puigdollers, J. [et al.]. Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by hot-wire CVD. "Materials science and engineering B. Solid state materials for advanced tech", Desembre 1999, vol. 69-70, p. 526-529.
dc.identifier.citation	0921-5107
dc.identifier.citation	10.1016/S0921-5107(99)00252-4
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/130748
dc.language.iso	eng
dc.relation	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510799002524
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica
dc.subject	Thin films
dc.subject	Microcrystalline silicon
dc.subject	Hot-wire CVD
dc.subject	Thin film transistors
dc.subject	Capes fines
dc.title	Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by hot-wire CVD
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.description.abstract	Polysilicon thin film transistors (TFT) are of great interest in the field of large area microelectronics, especially because of their application as active elements in flat panel displays. Different deposition techniques are in tough competition with the objective to obtain device-quality polysilicon thin films at low temperature. In this paper we present the preliminary results obtained with the fabrication of TFT deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). Some results concerned with the structural characterization of the material and electrical performance of the device are presented.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Thin film transistors obtained by hot wire CVD

Puigdollers i González, Joaquim; Orpella García, Alberto; Dosev, D; Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D; Pallarés, J; Marsal, L F; Bertomeu Balaguero, Joan; Andreu Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón

Stability of hidrogenated nanocrystalline silicon thin-film transistors

Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D; Fonrodona, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu Balaguero, Joan; Asensi, J M; Andreu Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón

Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition

Dosev, D K; Puigdollers i González, Joaquim; Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal; Fonrodona, Marta; Soler Vilamitjana, David; Marsal, L F; Pallarès Marzal, Josep; Bertomeu Balaguero, Joan; Andreu Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón

Electronic transport in low temperature nanocrystalline silicon thin-film transistors obtained by hot-wire CVD

Puigdollers i González, Joaquim; Voz Sánchez, Cristóbal; Orpella García, Alberto; Martín García, Isidro; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona, Marta; Bertomeu Balaguero, Joan; Andreu Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón

Progress in a-Si:H/c-Si heterojunction emitters obtained by Hot-Wire CVD at 200 °C

Muñoz Cervantes, Delfina; Voz Sánchez, Cristóbal; Martín García, Isidro; Orpella García, Alberto; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón; Villar, F; Bertomeu Balaguero, Joan; Andreu Batallé, Jordi; Damon-Lacoste, J; Cabarrocas, Roca I P

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini