Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/128223
Títol: | Output Power and Gain Monitoring in RF CMOS Class A Power Amplifiers by Thermal Imaging |
---|---|
Autor/a: | Perpinyà, Xavier; Reverter Cubarsí, Ferran; León, Javier; Barajas Ojeda, Enrique; Vellvehi, Miquel; Jordà, Xavier; Altet Sanahujes, Josep |
Altres autors: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. e-CAT - Circuits i Transductors Electrònics; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions |
Abstract: | |
Abstract: | |
Abstract: | |
Matèries: | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació -Amplifiers (Electronics) -Metal oxide semiconductors, Complementary--Design and construction -Output Power and Gain Measurement -RF CMOS power amplifiers -Local thermal testing -thermal sensors -Infrared Thermography -Heterodyne driving -Metall-òxid-semiconductors complementaris |
Drets: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipus de document: | Article - Versió presentada Article |
Compartir: |