Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz

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Título:	Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz
Autor/a:	Artal, E; Corbella Sanahuja, Ignasi; Busquets, C; Pradell i Cara, Lluís
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Abstract:	Microstrip coupled lines technology has been used to design and built low noise amplifiers in 20 and 30 GHz bands. Active devices are GaAs MESFET and HEMT in chip form. The amplifiers have input and output waveguide interfaces, probe transitions between microstrip line and rectangular waveguide are described. Two three-stage low noise amplifiers, at 20 and 30 GHz respectively, are presented.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica -Transistors -Transistors
Derechos:	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia
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Artal, E; Bará, J; Berenguer Sau, Jordi; Comerón Tejero, Adolfo; Corbella Sanahuja, Ignasi; Pradell i Cara, Lluís

Pradell i Cara, Lluís; Sabater, C; Artal, E; Comerón Tejero, Adolfo; Corbella Sanahuja, Ignasi

Corbella Sanahuja, Ignasi; Berenguer Sau, Jordi; Pradell i Cara, Lluís; Comerón Tejero, Adolfo; Bará, J; Artal, E

Pradell i Cara, Lluís; Artal, E; Sabater, C

O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Alegret, A.; Pradell i Cara, Lluís; Corbella Sanahuja, Ignasi

Coordinación

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