Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/112402
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Dosev, D |
dc.contributor.author | Voz Sánchez, Cristóbal |
dc.contributor.author | Peiró, D |
dc.contributor.author | Pallarés, J |
dc.contributor.author | Marsal, L F |
dc.contributor.author | Bertomeu Balaguero, Joan |
dc.contributor.author | Andreu Batallé, Jordi |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2000-05 |
dc.identifier.citation | Puigdollers, J., Orpella, A., Dosev, D., Voz, C., Peiró, D., Pallarés, J., Marsal, L., Bertomeu, J., Andreu Batallé, Jordi, Alcubilla, R. Thin film transistors obtained by hot wire CVD. "Journal of non-crystalline solids", Maig 2000, vol. 266, núm. 269, p. 1304-1309. |
dc.identifier.citation | 0022-3093 |
dc.identifier.citation | 10.1016/S0022-3093(99)00942-4 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/112402 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309399009424 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Cristalls |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Amorphous substances |
dc.subject | Silicon |
dc.subject | E130 |
dc.subject | N100 |
dc.subject | T190 |
dc.subject | Substàncies amorfes |
dc.subject | Silici |
dc.title | Thin film transistors obtained by hot wire CVD |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |