Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio

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RECERCAT Principal > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/84974

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. FOTONICA - Grup de Recerca de Fotònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Torner Sabata, Lluís
dc.contributor.author	Alcubilla González, Ramón
dc.contributor.author	Calderer Cardona, Josep
dc.date	1991
dc.identifier.citation	Torner, L., Alcubilla, R., Calderer, J. Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 1145-1149.
dc.identifier.citation	84-600-7766-7
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/84974
dc.language.iso	spa
dc.relation	http://ursi.usc.es/wp-content/uploads/articulos_antiguos_escaneados/Caceres_1991/sesion6A6.pdf
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació
dc.subject	Silicon
dc.subject	Silici
dc.title	Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	Silicon nitride (Si 3 N4 ) planar optical waveguides have been successfully grown by lowpressure chemical vapor deposition (LPCVD). Silicon p-type wafers with a (100) orientation were used as substrates, and the Si3 N4 was separated from the lossy Si substrate by a thermally grown SiO2 thin film.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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