To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/28094
Title: | Efficiency comparison between SiC- and Si-based active neutral-point clamped converters |
---|---|
Author: | Nicolás Apruzzese, Joan; Maset, Enrique; Busquets Monge, Sergio; Esteve, Vicente; Bordonau Farrerons, José; Calle Prado, Alejandro; Jordán, José |
Other authors: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona; Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència |
Abstract: | |
Subject(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Metal oxide semiconductors -Metal oxide semiconductor field-effect transistors -SiC technology -SiC MOSFET -wide band gap -active neutral-point clamped -efficiency -multilevel conversion -Transistors -Metall-òxid-semiconductors -Transistors MOSFET |
Rights: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Document type: | Article - Published version Conference Object |
Share: |