To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/28094

Efficiency comparison between SiC- and Si-based active neutral-point clamped converters
Nicolás Apruzzese, Joan; Maset, Enrique; Busquets Monge, Sergio; Esteve, Vicente; Bordonau Farrerons, José; Calle Prado, Alejandro; Jordán, José
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona; Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
-Metal oxide semiconductors
-Metal oxide semiconductor field-effect transistors
-SiC technology
-SiC MOSFET
-wide band gap
-active neutral-point clamped
-efficiency
-multilevel conversion
-Transistors
-Metall-òxid-semiconductors
-Transistors MOSFET
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Article - Published version
Conference Object
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro; Filbà Martínez, Àlber
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro
Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro; Busquets Monge, Sergio; Nicolás Apruzzese, Joan; Bordonau Farrerons, José
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro
 

Coordination

 

Supporters