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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Vetter, Michael |
dc.contributor.author | Martín García, Isidro |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Voz Sánchez, Cristóbal |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2004-03 |
dc.identifier.citation | Vetter, M., Martin, I., Orpella, A., Puigdollers, J., Voz, C., Alcubilla, R. IR-study of a-SiCx:H and a-SiCxNy:H films for c-Si surface passivation. "Thin solid films", Març 2004, vol. 451-452, p. 340-344. |
dc.identifier.citation | 0040-6090 |
dc.identifier.citation | 10.1016/j.tsf.2003.10.125 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/113069 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609003015244 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid |
dc.subject | Thin films |
dc.subject | Silicon-carbide thin film |
dc.subject | Crystalline silicon |
dc.subject | Silicon carbide |
dc.subject | Silicon carbonitride |
dc.subject | Passivation |
dc.subject | Solar cell |
dc.subject | Capes fines |
dc.subject | Capes fines de carbur de silici |
dc.title | IR-study of a-SiCx:H and a-SiCxNy:H films for c-Si surface passivation |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
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