Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/9851

Equilibrium and nonequilibrium gap-state distribution in amorphous silicon
Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Conductivitat elèctrica
Propietats tèrmiques
Semiconductors amorfs
Electric conductivity
Thermal properties
Amorphous semiconductors
(c) The American Physical Society, 1993
Article
The American Physical Society
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Merten, Jens; Asensi López, José Miguel; Voz Sánchez, Cristóbal; Shah, A. V.; Platz, R.; Andreu i Batallé, Jordi
Voz Sánchez, Cristóbal; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Villar, Fernando; Escarré i Palou, Jordi; Antony, Aldrin; Stella, Marco; Rojas Tarazona, Fredy E.; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Asensi López, José Miguel; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Serra-Miralles, J.; Andreu i Batallé, Jordi; Sardin, Georges; Roch i Cunill, Carles; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan; Esteve Pujol, Joan