Giant Magnetoresistance (GMR) sensors for 0.35µm CMOS technology sub-mA current sensing

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/81678

Títol:	Giant Magnetoresistance (GMR) sensors for 0.35µm CMOS technology sub-mA current sensing
Autor/a:	De Marcellis, A.; Reig, C; Cubells Beltrán, M. Dolores; Madrenas Boadas, Jordi; Cardoso, F; Cardoso, S.; Freitas, P.P
Altres autors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. CETpD -Centre d'Estudis Tecnològics per a l'Atenció a la Dependència i la Vida Autònoma
Abstract:	This paper reports on the design and fabrication of microelectronic structures for non-invasive indirect electric current sensing at the IC level. A 0.35 ¿m CMOS ASIC has been specifically developed for this purpose. Then, a low temperature post-process, fully compatible with the CMOS technology, has been applied for depositing Giant Magnetoresistive (GMR) sensors. Preliminary experimental results for obtaining the sensitivity of the devices are presented. The detection limit is estimated to be about 5 ¿A.
Abstract:	Peer Reviewed
Matèries:	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Instrumentació i mesura::Sensors i actuadors -Integrated circuits -Detectors -GMR -Electric current sensor -Integrated circuit -CMOS compatible -ASIC1 -Circuits integrats -Detectors
Drets:	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Tipus de document:	Article - Versió publicada Objecte de conferència
Publicat per:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Compartir:

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Quasi-digital front-ends for current measurement in integrated circuits with giant magnetoresistance technology

De Marcellis, A.; Cubells Beltrán, M. Dolores; Reig Escriva, Abilio Càndid; Madrenas Boadas, Jordi; zadov, Boris; Paperno, Eugene; Cardoso, S.; Freitas, P.P.

Quasi-digital conversion for resistive devices: application in GMR-based IC current sensors

Reig, C.; Cubells, Miquel; De Marcellis, A.; Madrenas Boadas, Jordi; Cardoso, S.; Freitas, P.P.

Integration of GMR sensors with different technologies

Cubells Beltrán, M. Dolores; Reig Escriva, Abilio Càndid; Madrenas Boadas, Jordi; De Marcellis, A.; Santos, Joana; Cardoso, Susana; Freitas, P.P.

A comprehensive high-level model for CMOS-MEMS resonators

Banerji, Saoni; Fernández, Daniel; Madrenas Boadas, Jordi

Self-adaptive hardware architecture with parallel processing capabilities and dynamic reconfiguration

Soto Vargas, Javier; Moreno Aróstegui, Juan Manuel; Madrenas Boadas, Jordi; Cabestany Moncusí, Joan

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini