A compact charge ratio expression for the emitter delay of polysilicon emitter bipolar transistors

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/112401

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Castañer Muñoz, Luis María
dc.contributor.author	Sureda, S
dc.contributor.author	Bardés Llorensí, Daniel
dc.contributor.author	Alcubilla González, Ramón
dc.date	1994-03
dc.identifier.citation	Castañer, L., Sureda, S., Bardes, D., Alcubilla, R. A compact charge ratio expression for the emitter delay of polysilicon emitter bipolar transistors. "IEEE transactions on electron devices", Març 1994, vol. 41, núm. 3, p. 454-455.
dc.identifier.citation	0018-9383
dc.identifier.citation	10.1109/16.275236
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/112401
dc.language.iso	eng
dc.relation	http://ieeexplore.ieee.org/document/275236/?reload=true
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors
dc.subject	Bipolar transistors
dc.subject	Elemental semiconductors
dc.subject	Bipolar transistors
dc.subject	Minority carriers
dc.subject	Semiconductor device models
dc.subject	Silicon
dc.subject	Transistors bipolars
dc.title	A compact charge ratio expression for the emitter delay of polysilicon emitter bipolar transistors
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.description.abstract	A compact solution for the ratio of the excess minority carrier charge stored into the polysilicon to the charge stored in the single crystal part of the emitter of a polysilicon emitter bipolar transistor is derived. The solution is based on an existing comprehensive model which takes into account the interfacial oxide and an arbitrary number of grains in the polysilicon layer. The emitter charge partition in polysilicon and single crystal emitter components is summarized in contour plots for constant values of the ratio.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

In-situ doped amorphous Si0.8C0.2 emitter bipolar transistors

Orpella García, Alberto; Bardés Llorensí, Daniel; Alcubilla González, Ramón; Marsal, L F; Pallarès Marzal, Josep

Analysis of conduction mechanisms in annealed n-Si1-xCx:H/p-crystalline Si heterojunction diodes for different doping concentrations

Marsal, L F; Pallares, J; Correig, X; Orpella García, Alberto; Bardés Llorensí, Daniel; Alcubilla González, Ramón

Electrical properties of PECVD amorphous silicon-carbon alloys from amorphous-crystalline heterojunctions

Marsal Amenós, Félix; Pallarés Viña, Miguel Juan; Correig Blanchar, Francesc Xavier; Domínguez Pumar, Manuel; Bardés Llorensí, Daniel; Calderer Cardona, Josep; Alcubilla González, Ramón

Analytical modelling of bjt neurtral base region under variable injection conditions

Bardés Llorensí, Daniel; Alcubilla González, Ramón

Fabrication and characterization of in-situ doped a-Si0.8C0.2 emitter bipolar transistors

Orpella García, Alberto; Puigdollers i González, Joaquim; Bardés Llorensí, Daniel; Alcubilla González, Ramón; Marsal, L F; Pallarès Marzal, Josep

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini