Defectes en capes epitaxials d'arseniür de gal.li sobre silici

Abstract

Un dels principals objectius de la recerca en electrònica és millorar les prestacions de velocitat dels equips. Als circuits basats en dispositius fabricats amb silici, l'augment de la velocitat de funcionament s'ha aconseguit mitjançant la reducció de les dimensions dels dispositius, és a dir, la disminució del camí que han de recórrer els portadors. Aquesta reducció ha estat possible gràcies als avenços en les tecnologies de creixement i processament dels materials, però encara que el ritme de progrés en aquestes àrees ha estat constant en els darrers anys en algunes àrees està proper a la saturació imposada per les pròpies limitacions intrínseques del material. En conseqüència, per tal de fer un salt qualitatiu en l'augment de velocitat, s'ha enfocat la recerca darrerament a aconseguir materials amb majors velocitats inherents de portadors.