RECERCAT Principal
>
Universitat Politècnica de Catalunya
>
Documents de recerca
>
Visualizar documento
Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/79102
| Título: | Semiconductores de banda de prohibición ancha |
|---|---|
| Autor/a: | Lledó Ponsati, Tomàs; Montesinos Miracle, Daniel |
| Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Elèctrica; Universitat Politècnica de Catalunya. CITCEA - Centre d'Innovació Tecnològica en Convertidors Estàtics i Accionaments |
| Abstract: | |
| Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials::Materials funcionals -Power electronics -Power semiconductors -Wide gap semiconductors -Electrònica de potència -Semiconductors de potència -Semiconductors de gap ample |
| Derechos: | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
| Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Artículo |
| Editor: | Grupo Tecnipublicaciones |
| Compartir: |
|
Documentos relacionados
Otros documentos del mismo autor/a
Heredero Peris, Daniel; Capó Lliteras, Macià; Miguel Espinar, Carlos; Lledó Ponsati, Tomàs; Montesinos Miracle, Daniel
Lledó Ponsati, Tomàs; Montesinos Miracle, Daniel; Galceran Arellano, Samuel
Heredero Peris, Daniel; Lledó Ponsati, Tomàs; Montesinos Miracle, Daniel; Jorge Ques, Fernando
Heredero Peris, Daniel; Pagès Giménez, Marc; Montesinos Miracle, Daniel