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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Vetter, Michael |
dc.contributor.author | Voz Sánchez, Cristóbal |
dc.contributor.author | Ferré Tomas, Rafel |
dc.contributor.author | Martín García, Isidro |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Andreu Batallé, Jordi |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2006-07 |
dc.identifier.citation | Vetter, M., Voz, C., Ferre, R., Martin, I., Orpella, A., Puigdollers, J., Andreu Batallé, Jordi, Alcubilla, R. Electronic properties of intrinsic and doped amorphous silicon carbide films. "Thin solid films", Juliol 2006, vol. 511-512, p. 290-294. |
dc.identifier.citation | 0040-6090 |
dc.identifier.citation | 10.1016/j.tsf.2005.11.108 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/117876 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609005023229 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors |
dc.subject | Amorphous semiconductors |
dc.subject | Amorphous silicon carbide |
dc.subject | Conductivity |
dc.subject | Passivation |
dc.subject | Meyer–Neldel |
dc.subject | Semiconductors amorfs |
dc.title | Electronic properties of intrinsic and doped amorphous silicon carbide films |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
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