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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Dosev, D K |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Voz Sánchez, Cristóbal |
dc.contributor.author | Fonrodona, Marta |
dc.contributor.author | Soler Vilamitjana, David |
dc.contributor.author | Marsal, L F |
dc.contributor.author | Pallarès Marzal, Josep |
dc.contributor.author | Bertomeu Balaguero, Joan |
dc.contributor.author | Andreu Batallé, Jordi |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2001-02 |
dc.identifier.citation | Dosev, D., Puigdollers, J., Orpella, A., Voz, C., Fonrodona, M., Soler, D., Marsal, L., Pallarès, J., Bertomeu, J., Andreu Batallé, Jordi, Alcubilla, R. Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition. "Thin solid films", Febrer 2001, vol. 383, núm. 1-2, p. 307-309. |
dc.identifier.citation | 0040-6090 |
dc.identifier.citation | 10.1016/S0040-6090(00)01608-4 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/112408 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609000016084 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid |
dc.subject | Solid state physics |
dc.subject | TFT |
dc.subject | Nanocrystalline silicon |
dc.subject | HWCVD |
dc.subject | Stability |
dc.subject | Física de l'estat sòlid |
dc.title | Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
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