Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/52832

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Reparaz, J. S.
dc.contributor.author	Callsen, G.
dc.contributor.author	Wagner, M. R.
dc.contributor.author	Güell Vilà, Frank
dc.contributor.author	Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.contributor.author	Sotomayor Torres, C. M.
dc.contributor.author	Hoffmann, A.
dc.date	2014-03-24T10:58:12Z
dc.date	2014-03-24T10:58:12Z
dc.date	2013
dc.date	2014-03-24T10:58:12Z
dc.identifier.citation	2166-532X
dc.identifier.citation	634734
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/52832
dc.format	8 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	AIP Publishing
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.4808441
dc.relation	APL Materials, 2013, vol. 1, p. 012103-1-012103-7
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1063/1.4808441
dc.rights	cc-by (c) Reparaz, J. S. et al., 2013
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es
dc.subject	Nanoelectrònica
dc.subject	Semiconductors
dc.subject	Optoelectrònica
dc.subject	Òxid de zinc
dc.subject	Luminescència
dc.subject	Nanoelectronics
dc.subject	Semiconductors
dc.subject	Optoelectronics
dc.subject	Zinc oxide
dc.subject	Luminescence
dc.title	Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	We investigate the spatial dependence of the exciton lifetimes in single ZnO nanowires. We have found that the free exciton and bound exciton lifetimes exhibit a maximum at the center of nanowires, while they decrease by 30% towards the tips. This dependence is explained by considering the cavity-like properties of the nanowires in combination with the Purcell effect. We show that the lifetime of the bound-excitons scales with the localization energy to the power of 3/2, which validates the model of Rashba and Gurgenishvili at the nanoscale.

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