To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/20142
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Boronat Moreiro, Alfredo |
dc.contributor.author | Silvestre Bergés, Santiago |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.date | 2013-09-12 |
dc.identifier.citation | Boronat, A.; Silvestre, S.; Orpella, A. Ohmic contacts fabricated on moderately doped p-type GaAs by sputtering deposition and a laser-firing process. "Journal of Vacuum Science and Technology B", 12 Setembre 2013, vol. 31, núm. 5, p. 051209-1-051209-7. |
dc.identifier.citation | 2166-2746 |
dc.identifier.citation | 10.1116/1.4820912 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/20142 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://avspublications.org/jvstb/resource/1/jvtbd9/v31/i5/p051209_s1 |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica |
dc.subject | Temperature measurements |
dc.subject | Photonics |
dc.subject | GaAs |
dc.subject | ohmic contact |
dc.subject | laser firing |
dc.subject | Termometria |
dc.subject | Fotònica |
dc.title | Ohmic contacts fabricated on moderately doped p-type GaAs by sputtering deposition and a laser-firing process |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |