A simple gate drive for SiC MOSFET with switching transient improvement

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/132621

Título:	A simple gate drive for SiC MOSFET with switching transient improvement
Autor/a:	Ghorbani, Hamidreza; Sala Caselles, Vicenç; Paredes Camacho, Alejandro; Romeral Martínez, José Luis
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Projectes i de la Construcció; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MCIA - Motion Control and Industrial Applications Research Group
Abstract:	This paper presents a new active gate drive for SiC MOSFETs switching. The proposed driver is based on feedforward control method. The switch is benefited from a simple and effective analog gate driver (GD). The main achievement of this GD is the transient enhancement with minimum undesirable effect on the switching efficiency. Also, the electromagnetic interference (EMI) as the main threat to the operation of SiC MOSFET is eliminated by this method. The proposed GD has been validated through the simulation and experimental tests. All the evaluation have been carried out in a hard switching condition with high-frequency switching.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Electromagnetic interference -Gate driver (GD) -Electromagnetic interference (EMI) -SiC MOSFET -Switching losses -Electrònica -- Interferències
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia
Editor:	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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