dc.contributor.author
Vilà i Arbonès, Anna Maria
dc.contributor.author
Peiró Martínez, Francisca
dc.contributor.author
Cornet i Calveras, Albert
dc.contributor.author
Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.date.issued
2015-05-08T10:26:13Z
dc.date.issued
2015-05-08T10:26:13Z
dc.date.issued
2015-05-08T10:26:13Z
dc.identifier
https://hdl.handle.net/2445/65455
dc.description.abstract
Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.
dc.format
application/pdf
dc.publisher
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
dc.relation
Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36
dc.relation
Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 275-278
dc.rights
cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997
dc.rights
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.source
Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
dc.title
Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
