Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/124669
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Puigdollers i González, Joaquim |
dc.contributor.author | Pirriera, Della M |
dc.contributor.author | Marsal Vinade, Albert |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | Cheylan, Stephanie |
dc.contributor.author | Voz Sánchez, Cristóbal |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2009-10 |
dc.identifier.citation | Puigdollers, J., Pirriera, D., Marsal, A., Orpella, A., Cheylan, S., Voz, C., Alcubilla, R. N-type PTCDI¿C13H27 thin-film transistors deposited at different substrate temperature. "Thin solid films", Octubre 2009, vol. 517, núm. 23, p. 6271-6274. |
dc.identifier.citation | 0040-6090 |
dc.identifier.citation | 10.1016/j.tsf.2009.02.113 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/124669 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009003551 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors |
dc.subject | Thin films |
dc.subject | PTCDI–C13H27 |
dc.subject | Thin-film transistors |
dc.subject | DOS |
dc.subject | Capes fines |
dc.title | N-type PTCDI¿C13H27 thin-film transistors deposited at different substrate temperature |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |