3D TCAD modeling of laser processed c-Si solar cells

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RECERCAT Principal > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/77772

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	López González, Juan Miguel
dc.contributor.author	Martín García, Isidro
dc.contributor.author	Ortega Villasclaras, Pablo Rafael
dc.contributor.author	Orpella García, Alberto
dc.contributor.author	Alcubilla González, Ramón
dc.date	2015
dc.identifier.citation	Lopez-Gonzalez, Juan M., Martin, I., Ortega, P., Orpella, A., Alcubilla, R. 3D TCAD modeling of laser processed c-Si solar cells. A: Spanish Conference on Electron Devices. "2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE 2015): Aranjuez-Madrid, Spain: 11-13 February 2015". Madrid: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015, p. 7087448-1-7087448-4.
dc.identifier.citation	9781479981090
dc.identifier.citation	10.1109/CDE.2015.7087448
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/77772
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars
dc.subject	Solar cells
dc.subject	Silicon
dc.subject	3D numerical simulation
dc.subject	Laser-fired contact
dc.subject	Passivated rear silicon
dc.subject	Semiconductor device modeling
dc.subject	Solar cells
dc.subject	Cèl·lules solars
dc.subject	Silici
dc.title	3D TCAD modeling of laser processed c-Si solar cells
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	This paper presents an 3D TCAD model of crystalline Silicon (c-Si) solar cells. Physical parameters used in the model are discussed. Simulation results are compared to experimental current-voltage curves and solar cell figures of merit namely open-circuit voltage, short-circuit current density, fill factor, and conversion efficiency, allowing us to determine an optimum design for these devices. Particularly, the model is applied to conventional p-type c-Si solar cells with rear contacts based on Laser-Firing technique and to Doped by Laser (DopLa) crystalline Silicon solar cells.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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