Analysis of GaAs-Ti thin films deposited by sputtering onto c-Si and GaAs

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/6639

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Silvestre Bergés, Santiago
dc.contributor.author	Puigdollers i González, Joaquim
dc.contributor.author	Boronat, A.
dc.contributor.author	Castañer Muñoz, Luis María
dc.date	2009-02-11
dc.identifier.citation	Silvestre, S. [et al.]. Analysis of GaAs-Ti thin films deposited by sputtering onto c-Si and GaAs. A: 7th Spanish Conference on Electronics Devices. "7th Spanish Conference on Electronic Devices". Santiago de Compostela: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, p. 5-7.
dc.identifier.citation	978-1-4244-2839-7
dc.identifier.citation	IEEE
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/6639
dc.language.iso	eng
dc.publisher	IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Energies
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject	Electronic engineering
dc.subject	Telecomunication
dc.subject	Telecomunicació
dc.subject	Electrònica
dc.title	Analysis of GaAs-Ti thin films deposited by sputtering onto c-Si and GaAs
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	Some sputtering processes of GaAs and Ti onto glass, c-Si and c-GaAs substrates have been carried out in order to obtain thin films as candidates to be intermediate band photovoltaic materials. This work presents first results concerning the optical and structural properties of the different deposited thin films.

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Study of GaAs(Ti) thin films as candidates for IB solar cells manufacturing

Silvestre Bergés, Santiago; Boronat, A.; Castañer Muñoz, Luis María

Optical absorption of radio frequency sputtered GaAs(Ti) films

Boronat, A; Silvestre Bergés, Santiago; Fuertes Marrón, D.; Castañer Muñoz, Luis María; Martí, A.; Luque, Antonio

Thermal response of AlN and CNx films as coatings of thin film anemometers

Arroyo, J.; Silvestre Bergés, Santiago; Coll Valentí, Arnau; Castañer Muñoz, Luis María

Influence of hydrogen on the optical absorption response of GaAs(Ti) films deposited by R.F. sputtering

Boronat Moreiro, Alfredo; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María

Optical and compositional characterization of GaAs(Ti) thin films deposited by R.F. magnetron sputtering

Boronat, Artur; Silvestre Bergés, Santiago; Castañer Muñoz, Luis María

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini