Títol: | Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ |
---|---|
Autor/a: | Chikoidze, Ekaterine; Tchelidze, Tamar; Sartel, Corinne; Chi, Zeyu; Kabouche, R.; Madaci, Ismail; Rubio, Carles; Mohamed, Hagar; Sallet, Vincent; Medjdoub, Farid; Perez-Tomas, Amador; Dumont, Yves. |
Abstract: | |
Matèries: | -Ultra-wide band gap -MOCVD growth -P type β-Ga₂O₃ -Electrical properties -Critical electrical field |
Drets: | open access
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
Tipus de document: | Article |
Publicat per: | |
Compartir: | |
Uri: | https://ddd.uab.cat/record/233971 |