Title: | P-type β-gallium oxide : a new perspective for power and optoelectronic devices |
---|---|
Author: | Chikoidze, Ekaterine; Fellous, Adel; Perez-Tomas, Amador; Sauthier, Guillaume; Tchelidze, Tamar; Ton-That, C.; Huynh, Tung Thanh; Phillips, Matthew; Russell, Stephen A. O.; Jennings, M. R.; Berini, Bruno; Jomard, François; Dumont, Yves |
Abstract: | |
Subject(s): | -Wide band gap semiconductor -Beta-Ga2O3 -Electrical properties -Hole conductivity -Thermodynamic calculations |
Rights: | open access
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
Document type: | Article |
Published by: | |
Share: | |
Uri: | https://ddd.uab.cat/record/225294 |