Title: | Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices |
---|---|
Author: | Bargallo Gonzalez, Mireia; Martin Martinez, Javier; Rodríguez Martínez, Rosana; Acero Leal, María Cruz; Nafría i Maqueda, Montserrat; Campabadal, Francesca; Aymerich Humet, Xavier |
Abstract: | |
Subject(s): | -Conductive filament -HfO2 -Ni -Resistive random access memory -RRAM -Random telegraph noise -RTN -Variability |
Rights: | open access
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ |
Document type: | Article |
Published by: | |
Share: | |
Uri: | https://ddd.uab.cat/record/136895 |