Dielectric metal dielectric antireflection plasmonic layers

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/107679

dc.contributor	Puigdollers i González, Joaquim
dc.contributor.author	Ros Costals, Eloi
dc.date	2017-06
dc.identifier.citation	ETSETB-230.126580
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/107679
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Universitat Politècnica de Catalunya
dc.relation	http://infoteleco.upc.edu/incoming/pfc/126580/Eloi_Ros_TFG_Poster_ufftby.pdf
dc.rights	S'autoritza la difusió de l'obra mitjançant la llicència Creative Commons o similar 'Reconeixement-NoComercial- SenseObraDerivada'
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Física
dc.subject	Solar cells
dc.subject	Nanostructures -- Optical properties
dc.subject	Silicon
dc.subject	solar cells
dc.subject	silicon
dc.subject	nanostructure - optical properties
dc.subject	Silicio
dc.subject	celdas solares
dc.subject	nanoestructuras - propiedades ópticas
dc.subject	Cèl·lules solars
dc.subject	Nanoestructures -- Propietats òptiques
dc.subject	Silici
dc.title	Dielectric metal dielectric antireflection plasmonic layers
dc.title	Fabricació de capes antireflectants basades en estructures dielèctric metall dielèctric
dc.title	Fabricación de capas antirreflejo basadas en estructuras dieléctrico metal dieléctrico
dc.type	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.description.abstract	Dielectric/Metal/Dielectric structures using Transition Metal Oxides (TMOs) as a dielectric layer and very thin-film layers of metal will be fabricated and their opto-electrical properties evaluated. In particular, MoO3/Ag/MoO3, V2O5/Ag/V2O5 and WO3/Ag/WO3 structures will be fabricated by thermal evaporation in a high vacuum process. Their optical transmittance and electrical conductivity will be measured. Optimized DMD structure will be used as a Transparent Conductive Layer in crystalline silicon solar cells.
dc.description.abstract	En este trabajo se fabricaran capas transparentes y conductoras basadas en interfaces dielectrico metal dielectrico. Además se usaran óxidos de metales de transición que funcionan como contacto selectivo en celdas de silicio cristalino. Finalmente se fabricarán unas celdas solares con estas estructuras para estudiar su funcionamiento.
dc.description.abstract	En aquest treball es fabricaran capes transparents conductores basades en interficies dielectric metall dielectric. A més a més s'utilitzaran òxids de metall de transició com a capes dielectriques, que son coneguts contactes selectius en celes solars de silici cristalí. Per últim es fabricaran unes cél·lules solars per comprovar el funcionament amb aquesta estructura.

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