Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta

Home | About RECERCAT | Contact

Català | Castellano

All of RECERCAT

By Communities &
Collections By Defense Date By Authors By Titles By Subject

This Collection

By Defense Date By Authors By Titles By Subject

Statistics

View Statistics All RECERCAT

My RECERCAT

Other repositories directory

RECERCAT Home > Universitat Autònoma de Barcelona > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > View document

dc.contributor.author	Sureda i Masmartí, Carles
dc.contributor.author	Sureda i Masmartí, Carles
dc.contributor.author	Jiménez Jiménez, David
dc.contributor.author	Jiménez Jiménez, David
dc.contributor.author	Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
dc.contributor.author	Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
dc.contributor.author	Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
dc.contributor.author	Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
dc.date	2007
dc.identifier	https://ddd.uab.cat/record/45730
dc.identifier	urn:oai:ddd.uab.cat:45730
dc.format	application/pdf
dc.language	cat
dc.publisher
dc.relation	Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica ;
dc.rights	open access
dc.rights	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús
dc.rights	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/
dc.subject	Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor
dc.title	Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
dc.type	Treball final de grau
dc.description.abstract	En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE.
dc.description.abstract	En aquest treball s'implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l'equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE.
dc.description.abstract	En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE.
dc.description.abstract	En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE.
dc.description.abstract	In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models.
dc.description.abstract	In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models.

Show simple item record

Related documents

Other documents of the same author

Desenvolupament d'una xarxa de sensors i actuadors sense fils de propòsit industrial

López Puig, Xavier; López Puig, Xavier; Portero Trujillo, Antonio; Portero Trujillo, Antonio; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Monitor EMG con conexión inalámbrica

Abad Navarro, Daniel; Abad Navarro, Daniel; Bogónez Franco, Francisco Carlos; Bogónez Franco, Francisco Carlos; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Disseny d'un sistema HW/SW de control remot amb dispositius FPGA

Estopà Mata, Imar; Estopà Mata, Imar; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Dispositius handheld per a aplicacions mèdiques : disseny i implementació d'interfícies del protocol Start

Jurado Cristóbal, Xavier; Jurado Cristóbal, Xavier; Martí Escalé, Ramon; Martí Escalé, Ramon; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Planta de producció d'àcid acètic

Impact (Grup de recerca); Impact (Grup de recerca); Agudo Cantero, Noé; Agudo Cantero, Noé; Fernández Vegas, Sergi; Fernández Vegas, Sergi; Guillén Suárez, David; Guillén Suárez, David; Montlléo Fanés, Gerard Carles; Montlléo Fanés, Gerard Carles; Moretones Caballero, Mireia; Moretones Caballero, Mireia; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Accesibility | Legal note | Cookies Policy

Coordination

Supporters