Molecular hydrogen diffusion in nanostructured amorphous silicon thin films

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat de Girona > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/10256/8575

dc.contributor.author	Kail, Fatiha
dc.contributor.author	Farjas Silva, Jordi
dc.contributor.author	Roura Grabulosa, Pere
dc.date	2009
dc.date.accessioned	2013-11-12T23:15:58Z
dc.date.available	2013-11-12T23:15:58Z
dc.date.issued	2013-11-12T23:15:58Z
dc.identifier.citation	1098-0121 (versió paper)
dc.identifier.citation	1550-235X (versió electrònica)
dc.identifier.citation	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.073202
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10256/8575
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Physical Society
dc.relation	Reproducció digital del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.073202
dc.relation	© Physical Review B, 2009, vol. 80, núm. 7, p. 073202
dc.relation	Articles publicats (D-F)
dc.rights	Tots els drets reservats
dc.subject	Hidrogenació
dc.subject	Hydrogenation
dc.subject	Silici
dc.subject	Silicon
dc.subject	Materials nanoestructurals
dc.subject	Nanostructure materials
dc.subject	Thin films
dc.subject	Capes fines
dc.title	Molecular hydrogen diffusion in nanostructured amorphous silicon thin films
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	We study hydrogen stability and its evolution during thermal annealing in nanostructured amorphous silicon thin films. From the simultaneous measurement of heat and hydrogen desorption, we obtain the experimental evidence of molecular diffusion in these materials. In addition, we introduce a simple diffusion model which shows good agreement with the experimental data

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Thermally-Induced Structural Transformations on Polymorphous Silicon (Data de publicació: 12-11-2013)

Rath, Chandana; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Kail, Fatiha; Roca i Cabarrocas, Pere; Bertrán Serra, Enric

Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments

Kail, Fatiha; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Secouard, Christopher; Nos, Oriol; Bertomeu, Joan Prat; Alzina, F.; Roca i Cabarrocas, Pere

Cell size distribution in a random tessellation of space governed by the Kolmogorov-Johnson-Mehl-Avrami model: Grain size distribution in crystallization (Data de publicació: 05-02-2013)

Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere

Calorimetry of dehydrogenation and dangling-bond recombination in several hydrogenated amorphous silicon materials (Data de publicació: 09-04-2013)

Roura Grabulosa, Pere; Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Serra-Miralles, J.; Bertrán Serra, Enric; Roca i Cabarrocas, Pere

Si3N4 single-crystal nanowires grown from silicon micro- and nanoparticles near the threshold of passive oxidation (Data de publicació: 15-02-2011)

Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Pinyol i Agelet, Albert; Roura Grabulosa, Pere; Bertrán Serra, Enric

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini