Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/9871
dc.contributor | Universitat de Barcelona |
---|---|
dc.contributor.author | Garrido Beltrán, Lluís |
dc.contributor.author | Samitier i Martí, Josep |
dc.contributor.author | Morante i Lleonart, Joan Ramon |
dc.contributor.author | Montserrat i Martí, Josep |
dc.contributor.author | Domínguez, Carlos (Domínguez Horna) |
dc.date | 2009-10-29T10:27:50Z |
dc.date | 2009-10-29T10:27:50Z |
dc.date | 1994 |
dc.identifier.citation | 0163-1829 |
dc.identifier.citation | 80097 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2445/9871 |
dc.format | 5 p. |
dc.format | application/pdf |
dc.language.iso | eng |
dc.publisher | The American Physical Society |
dc.relation | Reproducció digital del document publicat en format paper, proporcionada per PROLA i http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.14845 |
dc.relation | Physical Review B, 1994, vol. 49, núm. 21, p. 14845-14849. |
dc.relation | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.14845 |
dc.rights | (c) The American Physical Society, 1994 |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Efecte de les radiacions sobre els materials |
dc.subject | Fotoemissió |
dc.subject | Espectroscòpia de fotoelectrons |
dc.subject | Effect of radiation on materials |
dc.subject | Photoemission |
dc.subject | Photoelectron spectroscopy |
dc.title | Configurational statistical model for the damaged structure of silicon oxide after ion implantation |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.description.abstract |