Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto

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Title:	Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto
Author:	Cardador, D.; Vega Bru, Didac; Rodríguez Martínez, Ángel
Other authors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Abstract:	En este trabajo se ha estudiado la relación existente entre la frecuencia de trabajo de un cristal fotónico con defecto y el tamaño de dicho defecto. Las simulaciones indican una dependencia lineal entre ambas, a la vez que se mantiene el factor de calidad de los picos a lo largo de la banda prohibida
Abstract:	Peer Reviewed
Subject(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica -Photonics -Cristal fotónico -Silicio macroporoso -Defecto -Banda prohibida -Fotònica
Rights:	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Document type:	Article - Published version Conference Object
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