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Efectos de la absorción dieléctrica en circuitos de transferencia de carga para sensores capacitivos
Pallàs Areny, Ramon; Gaitán Pitre, Jorge Eliécer
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. GRUP ISI - Grup d'Instrumentació, Sensors i Interfícies
Se presenta un análisis experimental del efecto de la absorción dieléctrica en el condensador de referencia empleado en circuitos de interfaz entre sensores capacitivos y microcontrolador basados en la transferencia de carga. Los resultados muestran que dicho efecto se puede reducir no sólo usando condensadores con baja absorción dieléctrica y alargando el tiempo de descarga, sino también descartando las primeras lecturas de la medida del sensor. El análisis experimental demuestra que para condensadores de referencia entre 220 nF y 1 µF con diferentes materiales dieléctricos, incluido el óxido de aluminio, el coeficiente de variación (RSD) en las lecturas es menor al 0,3 % cuando el tiempo de descarga TD supera 10 ms.
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
-Detectors
-Absorción dieléctrica
-sensores capacitivos
-método de transferencia de carga
-circuito de interfaz directa
-microcontrolador
-Detectors
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Article - Versió publicada
Objecte de conferència
         

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