Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP

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RECERCAT Home > Universitat de Barcelona > Enginyeria Electrònica i Biomèdica > Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) > View document

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dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Vilà i Arbonès, Anna Maria
dc.contributor.author	Peiró Martínez, Francisca
dc.contributor.author	Cornet i Calveras, Albert
dc.contributor.author	Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.date	2015-05-08T10:26:13Z
dc.date	2015-05-08T10:26:13Z
dc.date	1997
dc.date	2015-05-08T10:26:13Z
dc.identifier.citation	0366-3175
dc.identifier.citation	118049
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/65455
dc.format	4 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36
dc.relation	Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 275-278
dc.rights	cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es
dc.subject	Pous quàntics
dc.subject	Quantum wells
dc.title	Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.

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