To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/25228
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat |
dc.contributor.author | Vatajelu, Elena Ioana |
dc.contributor.author | Gómez Pau, Álvaro |
dc.contributor.author | Renovell, Michel |
dc.contributor.author | Figueras Pàmies, Joan |
dc.date | 2013-12-20 |
dc.identifier.citation | Vatajelu, E. [et al.]. SRAM cell stability metric under transient voltage noise. "Microelectronics journal", 20 Desembre 2013, vol. 45, núm. 10, p. 1348-1353. |
dc.identifier.citation | 0026-2692 |
dc.identifier.citation | 10.1016/j.mejo.2013.11.005 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/25228 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Electronics |
dc.subject | Memòries digitals |
dc.title | SRAM cell stability metric under transient voltage noise |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |