Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/19931
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
dc.contributor.author | Jaksic, Zoran |
dc.contributor.author | Canal Corretger, Ramon |
dc.date | 2012-12 |
dc.identifier.citation | Jaksic, Z.; Canal, R. Comparison of SRAM cells for 10-nm SOI FinFETs under process and environmental variations. "IEEE transactions on electron devices", Desembre 2012, vol. 60, núm. 1, p. 49-55. |
dc.identifier.citation | 0018-9383 |
dc.identifier.citation | 10.1109/TED.2012.2226095 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/19931 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=06374661 |
dc.relation | info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/248789/EU/TERASCALE RELIABLE ADAPTIVE MEMORY SYSTEMS/TRAMS |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica::Hardware |
dc.subject | Semiconductor storage devices |
dc.subject | 6T cell |
dc.subject | 8T cell |
dc.subject | FinFET |
dc.subject | leakage |
dc.subject | process variation |
dc.subject | SRAM |
dc.subject | Ordinadors -- Memòries semiconductores |
dc.title | Comparison of SRAM cells for 10-nm SOI FinFETs under process and environmental variations |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |