Calorimetry of hydrogen desorption from ɑ-Si nanoparticles

Inici | Què és? | Contacte

English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e

Directori d’altres repositoris

Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat de Girona > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/10256/7696

dc.contributor.author	Farjas Silva, Jordi
dc.contributor.author	Das, Debabrata
dc.contributor.author	Fort, Joaquim
dc.contributor.author	Roura Grabulosa, Pere
dc.contributor.author	Bertrán Serra, Enric
dc.date	2002
dc.identifier.citation	1098-0121 (versió paper)
dc.identifier.citation	1550-235X (versió electrònica)
dc.identifier.citation	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.65.115403
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10256/7696
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Physical Society
dc.relation	Reproducció digital del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.65.115403
dc.relation	© Physical Review B, 2002, vol. 65, num. 11, p. 115403-115407
dc.relation	Articles publicats (D-F)
dc.rights	Tots els drets reservats
dc.subject	Ciència dels materials
dc.subject	Materials science
dc.subject	Semiconductors amorfs
dc.subject	Amorphous semiconductors
dc.subject	Capes fines
dc.subject	Thin films
dc.subject	Materials nanoestructurals
dc.subject	Nanostructure materials
dc.title	Calorimetry of hydrogen desorption from ɑ-Si nanoparticles
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	The process of hydrogen desorption from amorphous silicon (ɑ-Si) nanoparticles grown by plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD) has been analyzed by differential scanning calorimetry (DSC), mass spectrometry, and infrared spectroscopy, with the aim of quantifying the energy exchanged. Two exothermic peaks centered at 330 and 410 °C have been detected with energies per H atom of about 50 meV. This value has been compared with the results of theoretical calculations and is found to agree with the dissociation energy of Si-H groups of about 3.25 eV per H atom, provided that the formation energy per dangling bond in ɑ-Si is about 1.15 eV. It is shown that this result is valid for ɑ-Si:H films, too

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Enhancement of oxidation rate of a-Si nanoparticles during dehydrogenation (Data de publicació: 07-11-2010)

Das, Debabrata; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Viera Mármol, Gregorio; Bertrán Serra, Enric

Calorimetry of dehydrogenation and dangling-bond recombination in several hydrogenated amorphous silicon materials (Data de publicació: 09-04-2013)

Roura Grabulosa, Pere; Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Serra-Miralles, J.; Bertrán Serra, Enric; Roca i Cabarrocas, Pere

Si3N4 single-crystal nanowires grown from silicon micro- and nanoparticles near the threshold of passive oxidation (Data de publicació: 15-02-2011)

Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Pinyol i Agelet, Albert; Roura Grabulosa, Pere; Bertrán Serra, Enric

Thermally-Induced Structural Transformations on Polymorphous Silicon (Data de publicació: 12-11-2013)

Rath, Chandana; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Kail, Fatiha; Roca i Cabarrocas, Pere; Bertrán Serra, Enric

Calorimetry of dehydrogenation and dangling-bond recombination in several hydrogenated amorphous silicon materials

Roura Grabulosa, Pere; Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Serra-Miralles, J.; Bertrán Serra, Enric; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)

Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern

Coordinació

Patrocini