En este artículo se realiza un breve estudio sobre las características que influyen en el reparto de corriente entre semiconductores conectados en paralelo. El estudio se centra en el reparto de corriente en transistores IGBT conectados en paralelo y los mecanismos que permiten compensar dicho reparto. Para ello se proponen dos estrategias de control para el equilibrado de corriente que están basadas en un caso en el cálculo del valor medio de la corriente y en el otro, en la asociación de parejas de transistores. Finalmente se presentan resultados experimentales basados en las estrategias de control propuestas.