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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/17662

Título: Low recombination n+ regions created by n+ c-Si epitaxial layers and laser processing of phosphorus-doped SiCx films
Autor/a: Martín García, Isidro; Colina Brito, Mónica Alejandra; Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal; De Vecchi, S.; Desrues, T.; Abolmasov, S.; Roca i Cabarrocas, P.; Alcubilla González, Ramón
Otros autores: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Materia(s): -Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica
-Photovoltaic power generation
-Energia solar fotovoltaica
Derechos:
Tipo de documento: Artículo - Versión publicada
Objeto de conferencia
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