[ANGLÈS] Recent work based on photovoltaic heterojunction devices consisting of n-type ZnO and p-type PbS is developed. We demonstrate that the PbS/metal electrode interface does not necessarily form a Shottky barrier which is confirmed by a device ideality factor of 1.85 ? consistent with a single diode model. We believe planar heterojunction architectures impose an efficiency limit based on the low contact area between interfacial layers and have thus developed recent work that introduced the bulk nano-heterojunction ? a facile method for mixing p and n type colloidal quantum dots together in solution. Devices are based on n-type ZnO and p-type PbS which exhibit open circuit voltages as high as 0.76 V.

[CASTELLÀ] Este trabajo de investigación está centrado en la mejora de los celdas solares basadas en heterouniones entre láminas delgadas a partir de nanocristales de ZnO (tipo n) y PbS (tipo p). Los factores de idealidad obtenidos a partir de la caracterización eléctrica de los dispositivos (1,85) indican que el film de PbS coloidal no forma necesariamente un contacto tipo Shottky con el electrodo metálico, en acuerdo con el modelo de diodo único. El diseño actual de este tipo de heterouniones planas impone un límite en la eficiencia de los dispositivos y por ello en el presente trabajo proponemos el uso de heterouniones en volumen. Este tipo de uniones se fabrican fácilmente a partir de mezclas de nanocristales de ZnO y PbS en disolución. Los dispositivos fabricados con este tipo de heterounión exhiben voltajes en circuito abierto de hasta 0,76 V.

[CATALÀ] Estudis recents basats en dispositius fotovoltaics d'heterojuncions que consisteixen en ZnO de tipus n i PbS de tipus p. Hem demostrat que la interfície entre el PbS i l'electrode de metall no forma necessàriament una barrera Shottky. Això és confirmat per un dispositiu d'un factor idealment de 1,85, consistent amb el model d'un díode simple. Creiem que les arquitectures planars imposen una limitació en l'eficiència basada en la poca àrea de contacte entre les capes interficials. El disseny actual d'aquest tipus d'heterojuncions planes imposa un límit a l'eficiència dels dispositius i per això en el present treball proposem l'ús d'heterojuncions en volum. Dispositius basats en ZnO de tipus n i PbS de tipus p mostren uns voltatges de circuit obert de 0,76 V.